【摘 要】
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氧化锌(ZnO)具有适合基于pn结的各种光电器件,例如紫外光子探测器、发光二极管和激光二极管等应用的理想性质。虽然多年来已可获得高质量的n型ZnO,但是由于本征缺陷的自补偿
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氧化锌(ZnO)具有适合基于pn结的各种光电器件,例如紫外光子探测器、发光二极管和激光二极管等应用的理想性质。虽然多年来已可获得高质量的n型ZnO,但是由于本征缺陷的自补偿效应较强等原因,稳定低阻且为p型导电的ZnO薄膜一直难于制备。通过对部分有关文献的归纳分析,主要介绍了近年来在p型掺杂方面的进展,以及不同方法制备的p型ZnO薄膜的空穴浓度、迁移率及电阻率等性能参数。
Zinc oxide (ZnO) has the desirable properties for various opto-electronic devices based on pn junctions, such as UV photodetectors, LEDs and laser diodes. Although high-quality n-type ZnO has been available for many years, ZnO thin films that are stable and low in resistivity and p-type conductive have been difficult to prepare because of the self-compensation effect of intrinsic defects and the like. Through the inductive analysis of some related literatures, the progress of p-type doping in recent years and the performance parameters of hole concentration, mobility and resistivity of p-type ZnO thin films prepared by different methods are mainly introduced.
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