【摘 要】
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以氧化石墨烯（GO）和硅钼杂多酸（SiMo_（12））为原料,用一步电沉积法构筑SiMo_（12）@ERGO复合膜修饰的氧化铟锡（ITO）电极。采用扫描电镜和X-射线光电子能谱研究了电极的表面形貌和成分,通过
【机 构】
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东华理工大学核资源与环境省部共建国家重点实验室培育基地,东华理工大学化学生物与材料科学学院
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以氧化石墨烯（GO）和硅钼杂多酸（SiMo_（12））为原料,用一步电沉积法构筑SiMo_（12）@ERGO复合膜修饰的氧化铟锡（ITO）电极。采用扫描电镜和X-射线光电子能谱研究了电极的表面形貌和成分,通过循环伏安法对修饰电极的电化学性能进行了研究,并将构筑的修饰电极应用于亚硝酸根和抗坏血酸的测定。结果表明,与空白ITO和分步沉积法得到SiMo12/ERGO修饰电极相比,该方法得到的复合膜电极上SiMo_（12）的负载量高,稳定性良好,同时对抗坏血酸具有良好的电催化能力。
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