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来自IBM和佐冶亚理工大学（Georgia Institute of Technology）的研究人员近日宣布，他们研发的基于SiGe工艺的晶体管工作频率达到500GHz，比现有的手机中所用的晶体管的工作频率快250倍。到目前为止，只有采用昂贵的III—V族混合半导体材料的IC才能达到这种性能。