【摘 要】
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纳米尺度CMOS工艺的电荷共享效应日益显著,粒子入射导致电路内部多个节点同时翻转的概率急剧升高.为了提高时序单元的可靠性,提出了一种三点翻转(triple node upsets,TNUs)自
【机 构】
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合肥工业大学电子科学与应用物理学院,合肥工业大学计算机与信息学院,安徽工程大学电气工程学院
【基金项目】
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国家自然科学基金(61874156,61904047,61904001),安徽省自然科学基金(1908085QF272).
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纳米尺度CMOS工艺的电荷共享效应日益显著,粒子入射导致电路内部多个节点同时翻转的概率急剧升高.为了提高时序单元的可靠性,提出了一种三点翻转(triple node upsets,TNUs)自恢复的加固锁存器结构,利用双输入反相器的阻塞能力,将24个双输入反相器级联成6级,经反馈将发生翻转的节点恢复正确;内部采用不对称的连线方式,有效地消除了共模故障,优化了双输入反相器内部NMOS/PMOS的驱动能力,消除了节点逻辑值翻转造成的亚稳态.采用Hspice进行实验表明,相比已有容忍TNUs的4种加固锁存器,仅
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