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台湾联华电子采用high—k栅极绝缘膜和金属栅极技术，试制出45nm工艺的SRAM，至此，实现32／28nm工艺用high—k／金属栅极技术的第一阶段已完成。该公司2008年10月试制出了28nm工艺的SRAM，加上此次的成果，预计2010年能够开发32／28nm工艺技术。
联电试制采用high-k金属栅极的45nm工艺SRAM
【摘 要】
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台湾联华电子采用high—k栅极绝缘膜和金属栅极技术，试制出45nm工艺的SRAM，至此，实现32／28nm工艺用high—k／金属栅极技术的第一阶段已完成。该公司2008年10月试制出了28nm工艺的SR
【出 处】
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中国集成电路
【发表日期】
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2008年12期
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