1V电源非线性补偿的高温度稳定性电压带隙基准源

• 作 者: 秦波 贾晨 陈志良 陈弘毅
• 机 构: 清华大学微电子学研究所
• 出 处: 半导体学报
• 发表日期: 2006年11期
• 关键词: 非线性补偿 低电压基准源 高温度稳定性 nonlinear correction low voltage reference high-temperature

阐述了电源电压为1V的非线性补偿CMOS电压带隙基准源，该基准源具有很高的温度稳定性．基准源电路中运用了rail-to-rail运算放大器（0PA）．根据测试结果，室温下的输出电压为351．9mV，当温度在15-100℃变化时，输出电压在351．5-352．0mV之间变化，温度系数约为16．7ppm／℃．电路的功耗为0．16mW，芯片面积是0．18mm。