【摘 要】
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一、引言随着集成电路的集成度向更密集的方向发展,对光刻工艺提出了更高的要求。目前电子束曝光已发展成为实现大规模——超大规模集成电路的基础,它能使曝光的线条进入亚
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一、引言随着集成电路的集成度向更密集的方向发展,对光刻工艺提出了更高的要求。目前电子束曝光已发展成为实现大规模——超大规模集成电路的基础,它能使曝光的线条进入亚微米领域,现在光刻的线条越来越细,精度越来越高,于是对电子束抗蚀剂的研制和工艺应用研究就成为一个十分重要的问题。基于我国的实际情况,对国内外各种电子
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