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该发明涉及一种用于硅微电容传声器中的芯片及其制备方法。该芯片包括-n-型硅基片，在共正面扩散硼形成p+型搀杂层，在该层上面沉积二氧化硅、刻蚀成隔离层，在其上附着一振动膜层，振动膜层之上沉积金属铝膜，并光刻、腐蚀成圆形铝膜和方形铝电极；在硅基片的背面有一层氮化硅保护膜，从硅基片的底面腐蚀出一梯形缺口，该梯形缺口的深度至p+型搀杂层，并垂直于p+型搀杂层地方向上腐蚀出声学孔形成穿孔背板，穿孔背板与氮化硅做的振动膜层之间为空气隙。