白光LED用新型Eu或Gd共掺杂的Ce:YAG单晶荧光材料的光谱性能研究

• 作 者: 华伟 向卫东 董永军 梁晓娟 杨帆 金怀东 梁续 吕春燕
• 机 构: 温州大学,浙江温州,325035中国科学院上海光学精密机械研究所,上海,201800;湖州师范学院,浙江湖州,313000
• 出 处: 稀有金属材料与工程
• 发表日期: 2012年8期
• 关键词: 荧光材料 Ce:YAG单晶 共掺杂 光谱 白光LED

开展了白光LED用新型YAG单晶荧光材料的制备和光谱性能研究,采用提拉法生长Eu,Ce:YAG及Gd,Ce:YAG晶体,并通过吸收光谱,激发、发射光谱及电光性能等对晶体材料的光谱特性进行表征.结果表明,Eu或Gd共掺杂的Ce:YAG单晶荧光材料均可以被波长460 nm左右的蓝光芯片有效激发,产生一个范围为480～650 nm的宽峰发射.Eu3+或Gd3+共掺杂会对Ce3+离子的发光产生影响:Eu3+离子的掺杂,会对Ce3+离子的发光产生淬灭效应；而Gd3+离子取代基质y3+离子可以使Ce3+离子的发射峰发生红移.