一种新型亚阈值MOSFET电流模基准电路

• 作 者: 王家鑫 王安福
• 机 构: 郧阳师范高等专科学校物理与电子工程系
• 出 处: 郧阳师范高等专科学校学报
• 发表日期: 2008年6期
• 关键词: 电流模基准电路 亚阈值MOSFET 反馈 CMOS集成电路 current model reference circuit subthreshold MOSFE

提出了一种结构新颖的亚阈值MOSFET电流模基准电路，利用反馈技术产生偏置于电流ICTAT的电流IPTAT,输出基准电压只是一个自变量（ICTAT）的函数，降低了其温漂系数．对电路进行了仿真，获得了较好的性能指标，这种电路结构在[-20℃～100℃]温度范围内对输出基准电压进行很好的高阶温度曲率补偿，能够获得很低的温漂系数（TC｜TT约6．25ppm／℃），最小工作电压不大于1V．