氢化非晶硅(a-Si:H)光电导研究中的新现象

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本文研究衬底温度(T_s)从室温至623K生长的氢化非晶硅的光电导的温度依赖关系.首次发现了出现光电导的热淬灭(TQ)的温度区随a-Si:H的T_s的降低系统地移向较低温度区.光电导特性是衡量非晶态半导体的一个重要参数,因为它不仅涉及到载流子的激发、俘获、复合等过程,而且与载流子的输运特性紧密联系.一些研究小组在研究结论中指出a-Si:H薄膜的光电导对于其生长参数很敏感,如掺杂浓度、生长中的射频功率等.但尚未见系统 In this paper, the temperature dependence of the photoconductivity of hydrogenated amorphous silicon grown from room temperature to 623 K was investigated. The temperature dependence of thermal quenching (TQ) of photoconductors was found for the first time with the T_s of a-Si: H Of the reduction system to move to a lower temperature region.Photoconductivity is a measure of amorphous semiconductor is an important parameter, because it not only involves the carrier excitation, capture, recombination and other processes, but also with the transport of carriers Some research groups pointed out in the conclusion of the study that the photoconductivity of a-Si: H thin films is sensitive to their growth parameters such as doping concentration, growing radio frequency power, etc. However, no systematic
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