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研究并制造了2．6～2．8GHz输出功率100W、脉宽1μs、占空比25％、增益7dB、效率35％的硅微波脉冲功率晶体管。本文介绍了该器件的设计考虑和采用的工艺技术，给出了研制结果。
2．6～2．8GHz100W硅微波脉冲功率晶体管
【摘 要】
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研究并制造了2．6～2．8GHz输出功率100W、脉宽1μs、占空比25％、增益7dB、效率35％的硅微波脉冲功率晶体管。本文介绍了该器件的设计考虑和采用的工艺技术，给出了研制结果。
【机 构】
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中国电子科技集团公司第13研究所
【出 处】
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半导体技术
【发表日期】
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2004年12期
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