【摘 要】
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本文研制了Al03Ga022In048P/GaAs高温HBT器件,详细地研究了器件在300K~623K范围内HBT的直流电学特性.结果表明Al03Ga022In048P/GaAsHBT器件具有良好的高温特性,在300K~623K温度
【机 构】
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本文研制了Al03Ga022In048P/GaAs高温HBT器件,详细地研究了器件在300K~623K范围内HBT的直流电学特性.结果表明Al03Ga022In048P/GaAsHBT器件具有良好的高温特性,在300K~623K温度范围内,动态电流增益变化小于10%.Al03Ga022In048P/GaAsHBT可工作至623K,工作温度超过623K后,器件就不能正常工作,经分析发现导致HBT失效的直接原因是BC结短路.BC结短路的机制有待今后进一步探讨.
In this paper, the high-temperature HBT device Al03Ga022In048P / GaAs was fabricated and the DC characteristics of the HBT in the range of 300K ~ 623K were investigated in detail.The results show that the Al03Ga022In048P / GaAsHBT device has good high temperature characteristics and the dynamic current gain Changes less than 10% .Al03Ga022In048P / GaAsHBT can work to 623K, the working temperature exceeds 623K, the device will not work, the analysis found that the cause of HBT failure is the BC junction short circuit. BC junction short circuit mechanism to be further explored in the future.
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