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建立了基于注入式PIN结构的亚微米硅基波导光学相位调制器模型，对该调制器模型的光学特性和电学特性进行了理论分析和仿真，确定了器件的单偏振单模条件。在此条件下，重点分析并讨论了在不同结构参数与掺杂条件下器件调制效率的变化特性。结果表明，通过减小外脊高、增大掺杂浓度、减小波导区到掺杂区的距离、增大掺杂深度等均可有效提高器件的调制效率。在此基础上确定了器件的最优结构参数，结果表明其相位调制效率可达到19rad·V^-1·mm^-1，3dB带宽大于1GHz，同时该调制器还具有结构紧凑、工作电压