一种测量电光旋光晶体La3 Ga5SiO14电光系数γ11的新方法

• 作 者: 张少军 田召兵 尹鑫 桑梅 李世忱
• 机 构: 天津大学精密仪器与光电子工程学院,山东大学晶体材料国家重点实验室
• 出 处: 天津大学学报
• 发表日期: 2006年B06期
• 关键词: 激光物理 旋光晶体 硅酸镓镧晶体 电光系数 laser physics optical activity crystal langasite（LGS） elec

从理论上对激光处于电场中的旋光晶体传播方程进行了研究，应用琼斯距阵理论分析了入射到晶体表面和透过晶体的光的偏振态，推导出了透过晶体出射的光为线偏振的条件，利用旋光晶体电光系数γ11与施加电场的电压V和晶体角度理的关系，通过实验，测量了La3Ga5SiO14晶体电光系数γ11为2．2×10^12m／V．