【摘 要】
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采用射频磁控溅射方法,分别利用六方氮化硼（h-BN）、硼（B）和石墨（C）靶,在氩气和氮气的氛围中,沉积B-C-N薄膜.傅里叶变换红外光谱（FTIR）分析表明：在1200～1800cm-1和1000～1750cm-1处出现了
【机 构】
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大连理工大学物理与光电工程学院,大连理工大学三束材料改性教育部重点实验室,大连工业大学艺术与信息工程学院
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采用射频磁控溅射方法,分别利用六方氮化硼（h-BN）、硼（B）和石墨（C）靶,在氩气和氮气的氛围中,沉积B-C-N薄膜.傅里叶变换红外光谱（FTIR）分析表明：在1200～1800cm-1和1000～1750cm-1处出现了较宽的吸收峰;在2200cm-1处出现了CN键的特征吸收峰.表明在沉积的薄膜中,C原子与N原子相结合.分别溅射C和h-BN靶,红外光谱分析表明,B—C键在1100cm-1处未产生吸收峰,即利用h-BN和C靶沉积的B-C-N薄膜倾向于相分离,利用B和C靶沉积的B-C-N薄膜中的原子实现了
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