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采用容性放电模式（E-mode）的电感耦合等离子体化学气相沉积技术（ICPCVD）,以硅烷（SiH4）和氢气（H2）作为气源,通过改变沉积气压来制备氢化非晶硅薄膜（a-Si∶H）。采用少子寿命测试仪（Sinton WCT-120）研究薄膜在n型单晶硅片表面的钝化效果。并通过傅里叶红外光谱仪（FTIR）和扫描电子显微镜（SEM）进一步表征薄膜的氢含量、微结构因子和表面形貌。结果表明,气压偏低或者偏高都会影响薄膜质量,生成多孔隙的薄膜,从而影响薄膜的钝化性能。最优沉积气压为65 Pa,并进一步优化少子寿命到4