多层铜布线CMP工艺的优化研究

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【摘要】

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集成电路多层铜布线平坦化中,CMP工艺参数的配置是决定抛光表面状态和平坦化程度的重要因素.本文研究了碱性介质下铜CMP机理,深入分析了CMP系统中影响抛光表面状态的诸多工艺

【作者】

：

孙薇姚晓琼赵振

【机构】

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北华航天工业学院电子工程系

【出处】

：

北华航天工业学院学报

【发表日期】

：

2014年1期

【关键词】

：

化学机械抛光表面状态表面粗糙度 C M P surface state surface roughness

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集成电路多层铜布线平坦化中,CMP工艺参数的配置是决定抛光表面状态和平坦化程度的重要因素.本文研究了碱性介质下铜CMP机理,深入分析了CMP系统中影响抛光表面状态的诸多工艺因素.在此基础上设计了多层铜布线CMP工艺的优化实验,有效地解决了划伤,蚀坑等表面缺陷问题,实验测定表面粗糙度数据较为理想,获得了良好的实验效果.

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