Nb-X（X=Y,Zr）共掺杂SnO2电子结构的第一性原理研究

• 作 者: 张东
• 机 构: 重庆文理学院物理系
• 出 处: 原子与分子物理学报
• 发表日期: 2004年期
• 关键词: SnO2 共掺杂 能带结构 态密度

本文采用第一性原理方法研究了Nb-X（X=Y,Zr）共掺杂SnO₂能带结构与态密度,探讨了其磁性产生的机理.研究结果表明,Nb-Y共掺杂SnO₂体系自旋向上和自旋向下的能带、态密度完全对称,总磁矩为0μB;Nb-Zr共掺杂的SnO₂体系自旋向上和自旋向下的能带与态密度在费米能级处都出现了不对称的情况,出现耦合现象,其总磁矩为0.933μB;分析Nb-Y共掺杂SnO₂的能带结构与态密度得到自旋向上和自旋向下的能带禁带中的4条杂质能级来源于Nb-Y共掺杂SnO₂电子的施主与受主能级;NbZr共掺杂SnO₂体系产生磁性的原因在于Nb和Zr的d轨道的引入.