用各向异性反应离子刻蚀和择优湿腐蚀测定硅上SiC薄膜的厚度

来源 :微电子学 | 被引量 : 0次 | 上传用户：fdsadadsa

【摘要】

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用各向异性反应离子刻蚀和择优湿腐蚀测定硅上ＳｉＣ薄膜的厚度＝Ｔｈｉｃｋｎｅｓｓｄｅｔｅｒｍｉｎａ－ｔｉｏｎｏｆＳｉＣ－ｏｎ－Ｓｉｔｈｉｎｆｉｌｍｓｂｙａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃｒｅａｃｔｉｖｅｉｏｎｅｔｃｈｉｎｇａｎｄｐｒｅｆｅｒｅｎｔｉａｌｗｅｔｅｔｃ... Thick anisotropic reactive ion etching and preferential wet etching of SiC thin film thickness = Thickn

【出处】

：

微电子学

【发表日期】

：

1994年03期

【关键词】

：

反应离子刻蚀 SiC薄膜电子扫描显微镜对称法粗糙度膜表面化学腐蚀膜厚度测量精度检查和

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