【摘 要】
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以溶剂热生长技术(solvothermal technique)制备了半导体CdS的纳米微粒,并采用XRD、TEM、ED对其结构进行表征.在ITO导电玻璃上,采用电化学方法合成聚苯胺薄膜,以提拉的方法将
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以溶剂热生长技术(solvothermal technique)制备了半导体CdS的纳米微粒,并采用XRD、TEM、ED对其结构进行表征.在ITO导电玻璃上,采用电化学方法合成聚苯胺薄膜,以提拉的方法将CdS的纳米颗粒涂布其上,自组装得纳米CdS/PANI膜,并以荧光光谱(PL)及非线性Z-扫描法研究其光学特性.实验结果显示:经CdS修饰后,CdS/PANI膜的荧光发射峰强度增强,位置较单一PANI膜移至420 nm处,同时经修饰后的复合物膜的非线性光学特性也有显著的提高.
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