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【摘 要】
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用金属有机物化学气相沉积法生长ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ量子阱材料，并制成红外探测器。测量了材料的光致光光谱和探测器的光电流响应光谱及其它光电特性，峰值波长７．９μｍ，响应率达到６＊１０＾３Ｖ／Ｗ，与分子束外延法生长的材
【机 构】
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ShanghaiInstofTechnicalPhysics
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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2000年5期
【基金项目】
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国防科工委重点资助项目
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