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在众多有关CIGS薄膜的制备实验条件中,温度是影响薄膜生长的重要因素之一.实验利用三步共蒸法在常温下沉积CIGS薄膜,而后对每一步制得的预制膜真空退火处理,系统研究了预置层退火温度对CIGS薄膜的晶体结构、表面形貌及光学性质的影响.研究表明,三步共蒸法中预置层退火温度应严格控制在350℃左右,有利于制备出单一黄铜相结构的CIGS薄膜,近红外波段光学反射率低至2%以下.