【摘 要】
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选择水热工艺制备了以还原石墨烯对包裹碳化硅棒的三维网状结构(SiC/r-GO),采用这种特定结构可以获得更优的微波吸收效果.实验结果表明:受到羟基、羧基等含氧基团的作用后,石
【机 构】
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大同煤炭职业技术学院机电工程系,山西大同037003;北京环境特种研究所,北京100854
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选择水热工艺制备了以还原石墨烯对包裹碳化硅棒的三维网状结构(SiC/r-GO),采用这种特定结构可以获得更优的微波吸收效果.实验结果表明:受到羟基、羧基等含氧基团的作用后,石墨片层形成了更大的间距.SiC/r-GO表面形成了许多褶皱形态的r-GO,表现出三维交织的特征.SiC棒形成了均匀结构,相互间呈现交织分布,在表面形成包裹石墨层.当温度升高到350℃以上时,曲线快速降低,此时复合材料内的r-GO发生了分解.当填充比例增大后,形成了更大复介电常数实部,获得更强的极化作用.2～18GHz频率区间的复介电常数实部与虚部都随频率的提高而降低.采用水热工艺处理会导致r-GO纳米薄片表面形成残余官能团并产生许多缺陷,受到交变电磁场影响后出现空间电荷极化,从而导致介电损耗.
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