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在Ｓｉ ＢＪＴ Ｅ－ＭＳ模型基础上，对其直流参数进行进行了修正，使其适应于ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ ＨＢＴ的直流特性；电流增益不是常量和自热效应。计算机模拟值与测值在中电流和较大电流时相当吻合，这一结果支持了ＨＢＴ电路模拟。
AlGaAs／GaAs HBT E—M模型直流参数的修正
【摘 要】
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在Ｓｉ ＢＪＴ Ｅ－ＭＳ模型基础上，对其直流参数进行进行了修正，使其适应于ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ ＨＢＴ的直流特性；电流增益不是常量和自热效应。计算机模拟值与测值在中电流和较大电流时相当吻合，这一结果支持了ＨＢＴ电路模拟
【机 构】
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东南大学微电子中心
【出 处】
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东南大学学报：自然科学版
【发表日期】
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1998年4期
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