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介绍了最近开发的1200V和1700VIGBT模块的特性。该模块由沟槽栅极和电场截止结构的新型IGBT器件组装而成。由于采用了先进的封装技术，这种新型IGBT模块导致了更高的功率集成。进而，总功率损耗比常规IGBT模块的约减少了25％。
1200V和1700V新型IGBT模块沟槽及电场截止型IGBT低注入续流二极管
【摘 要】
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介绍了最近开发的1200V和1700VIGBT模块的特性。该模块由沟槽栅极和电场截止结构的新型IGBT器件组装而成。由于采用了先进的封装技术，这种新型IGBT模块导致了更高的功率集成。
【机 构】
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富士日立功率半导体公司
【出 处】
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电力电子
【发表日期】
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2004年4期
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