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介绍一种实时监控行波半导体激光放大器(TW-SLA)抗反膜(AR)超低剩余反射率的新方法。从理论和实验上分析了剩余反射率与SLA的输出光功率关系及温度对其输出功率的影响。在1.3μm InGaAsP/InP掩埋异质结(BH)激光二极管(LD)上镀单层SiO<sub>x</sub>或SiO<sub>x1</sub>/SiO<sub>x2</sub>膜获得了低于5×10<sup>-4</sup>的超低反射