采用金属镓层氮化技术在石英衬底上生长多晶GaN

• 作 者: 邵庆辉 叶志镇 Nasser N.Morgan 顾星 黄靖云
• 机 构: 浙江大学硅材料国家重点实验室
• 出 处: 真空科学与技术
• 发表日期: 2003年2期
• 关键词: 石英衬底 镓层氮化技术 金属 GAN 氮化镓 半导体 多晶材料 GaN Polycrystal Silica substrate Ga nitridation
• 基金项目: 国家重点基础研究发展计划(973计划)

随着多晶GaN材料发光研究的不断深入,大面积、价格低廉的多晶GaN基光电器件的研制已成为工业生产中一个重要的研究领域.石英玻璃以其自身特有的优势,成为生长多晶GaN材料的较为理想的衬底.本文采用一种新的金属镓层氮化技术,使用无定形石英作衬底,在常压下制备出多晶GaN.经分析测试表明,生长出的多晶GaN为六方结构且质量较好,并观察到针状的表面结构.