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通过MOCVD外延实现了限制层高铝组分及高掺杂，制作出低阈值电流密度的压应变多量子阱激光器材料。后工艺制备了低阈值电流基横模弱折射率脊形波导激光器。该激光器阈值电流最低达到6．2mA，这是我们所见报道的650nm GaInP/AlGaInP红光激光器的最低阈值电流。在25mA工作电流下，基横模连续输出功率达到18mW。