ST与Hynix在无锡合建DRAM和NAND生产线

• 作 者: 王小庆
• 出 处: 电子设计技术
• 发表日期: 2005年6期
• 关键词: 无锡 产品 半导体 存储器芯片 英寸 项目计划 工厂 总投资 生产线 制造 闪存 容量 前端 内存 美元 合资

日前,意法半导体(ST)与海力士半导体(Hynix)在无锡的存储器芯片前端制造合资工厂破土动工,项目计划总投资20亿美元.该工厂将拥有8英寸和12英寸两条生产线,主要提供DRAM内存和NAND闪存产品.首批DRAM和NAND产品的容量分别为512Mb和4Gb～8Gb,2007年将能够供应1Gb的DRAM和8Gb～16Gb的NAND产品.