纳米YAG相包覆SiC复合粉体

• 作 者: 张宁 才庆魁 茹红强 历英 邱关明 孙旭东
• 机 构: 沈阳大学机械工程学院材料系,东北大学材料冶金学院,长春理工大学材料与工程学院
• 出 处: 中国稀土学报
• 发表日期: 2005年3期
• 关键词: 共沉淀包覆方法 钇铝复合氧化物 陶瓷复合粉体 YAG相 碳化硅 纳米材料

利用共沉淀包覆方法制备了SiC—YAG(Y3Al5O12)陶瓷复合粉体。探讨了Y^3+和Al^3+的先驱沉淀物共沉淀包覆SiC粉体的包覆原理，当溶液中的OH^-浓度控制在非均匀形核和均匀形核所需要的临界浓度范围之内，可以使Y^3和Al^3的先驱沉淀物共沉淀包覆在SiC颗粒表面。Y^3和Al^3的先驱沉淀物在1000℃煅烧后，直接形成YAG相，而不形成中间相，YAG相形成温度比常规形成温度明显降低(约600℃)。同时研究了溶液的pH值和沉淀剂滴定速度对SiC-YAG陶瓷复合粉体包覆性的影响。结果表明pH=9