【摘 要】
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采用液封直拉法（LEC）生长了4 inch直径（100）Ga Sb单晶并进行了衬底晶片的加工制备。通过优化热场,可重复生长出非掺和掺Te整锭（100）单晶,单晶锭的重量为5~8 kg,成晶率可达80%以上。
【机 构】
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中国科学院半导体研究所,中国科学院大学材料科学与光电技术学院
【基金项目】
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基金项目：国家自然科学基金（61474104,61504131）
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采用液封直拉法（LEC）生长了4 inch直径（100）Ga Sb单晶并进行了衬底晶片的加工制备。通过优化热场,可重复生长出非掺和掺Te整锭（100）单晶,单晶锭的重量为5~8 kg,成晶率可达80%以上。4 inch（100）晶片大部分区域的位错腐蚀坑密度小500 cm-2,其（004）双晶衍射峰的半峰宽为29弧秒,表明晶片衬底的完整性相当好。晶体生长过程中固液界面较为平坦,因而晶片表现出良好的横向电学均匀性。经研磨和机械化学抛光,制备出具备良好平整度和表面粗糙度的开盒即用衬底晶片。通过控制本征受主缺陷
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