PECVD参数对含氢非晶碳刻蚀特性的影响研究

• 作 者: 邹雄峰 董立松 陈志刚 韦亚一
• 机 构: 中国科学院大学微电子学院,北京,100029;中国科学院微电子研究所,北京,100029;中芯国际集成电路制造有限公司,上海,201203;中国科学院大学微电子学院,北京100029;中国科学院微电子
• 出 处: 微电子学
• 发表日期: 2020年1期
• 关键词: 合氢非晶碳 确定性筛选设计 多元回归分析 刻蚀速率

分析了射频等离子体增强化学气相淀积(RFPECVD)参数对含氢非晶碳(α-C∶H)刻蚀特性的影响规律.首先,针对射频功率、丙烯流量、反应腔压强、极板间距等工艺参数对膜层刻蚀特性的影响进行了实验,并通过确定性筛选设计方法产生实验矩阵.然后,采用RFPECVD工艺在硅衬底上淀积α-C∶H.最后,运用多元回归方法对刻蚀速率、刻蚀均匀性进行了研究.结果 表明,淀积工艺参数的变化对膜层的均匀性没有影响,对膜层的刻蚀速率有影响.该工艺参数对刻蚀特性的影响研究对优化CVD工艺具有参考价值.