【摘 要】
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第七届国际晶体生长会议于1983年9月12日至16日在西德斯多加德召开。参加会议的代表来自近30个国家共300多人。我国有16名代表参加。会议共收到论文460多篇,其中包括我国学
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第七届国际晶体生长会议于1983年9月12日至16日在西德斯多加德召开。参加会议的代表来自近30个国家共300多人。我国有16名代表参加。会议共收到论文460多篇,其中包括我国学者提交的论文32篇。论文内容十分广泛,涉及的晶体种类很多,但有关硅和Ⅲ—Ⅴ族半导体材料的大会报告有4篇,占大会报告总数的66％;一般论文有125篇,占总论文数的27％左右。我国被接受的半导体材料方面
The Seventh International Conference on Crystal Growth was held in Syed Daugad from September 12 to September 16, 1983. Delegates to the conference came from over 300 countries in nearly 30 countries. Our country has 16 representatives. The conference received a total of 460 papers, including 32 papers submitted by Chinese scholars. The paper is very broad and covers a wide range of crystals, but there are 4 convention reports on silicon and III-V semiconductors, accounting for 66% of the total; 125 general papers, accounting for about 27% of the total papers . China’s accepted semiconductor materials
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