高功率GaN p—n结蓝色发光二极管

• 出 处: 发光快报
• 发表日期: 1992年3期
• 关键词: 发光二极管 发光器件 氮化镓 薄膜

<正> 用具有 GaN 缓冲层的 GaN 薄膜制备出高功率 p—n 结蓝色发光二极管(LEDs)。外部量子效率高达0.18%,输出功率比常规的亮度为8mcd 的 SiC 蓝色 LEDs 高出10倍。在正向电流为20mA 的条件下,正向电压低至4V;这是报导过的 GaNLEDs 中最低的正向电压值。峰值波长和半最大值全宽度(FWHM)分别为430nm 和55nm。