【摘 要】
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美国专利US7489024 (2009年2月10日授权)非致冷焦平面列阵的常规设计均包含一块CMOS读出电路芯片,该芯片上的牺牲层和传感器材料层是先摹制然后再用表面微机械加工方法消除的
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美国专利US7489024 (2009年2月10日授权)非致冷焦平面列阵的常规设计均包含一块CMOS读出电路芯片,该芯片上的牺牲层和传感器材料层是先摹制然后再用表面微机械加工方法消除的。由于这种芯片不能完全用标准的CMOS生产线制备,在进行标准
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