低杂波电流驱动下硬X射线轫致辐射的测量与研究

• 作 者: 杨进蔚 张光阳 曾庆希 张炜 齐昌伟
• 机 构: 核工业西南物理研究院
• 出 处: 核聚变与等离子体物理
• 发表日期: 1997年03期
• 关键词: 电流驱动 轫致辐射 半导体探测器 电子温度 碘化汞探测器 能量范围 切线方向 回旋辐射 射线能量 托卡马克

用新研制的碘化汞（ＨｇＩ２）半导体探测器，测量来自等离子体芯部，其能量范围在１５—１５０ｋｅＶ之间的Ｘ射线轫致辐射。当用２００—３００ｋＷ、２．４５ＧＨｚ、９０ｏ相位角和Ｎ‖＝２．７的低杂波进行电流驱动时，硬Ｘ射线辐射强度在垂直于磁轴的方向上是减少的；但在磁轴切线方向上，孔栏的轫致辐射［用碘化钠（ＮａＩ）探测器测量］是增加的。Ｘ射线能谱测量表明，在低杂波电流驱动（ＬＨＣＤ）情形下，出现非麦克斯韦分布的高能尾部电子，其垂直能量最高可达１５０ｋｅＶ，尾部电子温度（垂直）在１５—３０ｋｅＶ之间。

Using a newly developed mercury iodide (HgI2) semiconductor detector, X-ray bremsstrahlung radiation from the plasma core with an energy range of 15-150 keV was measured. When current driven with low clutters of 200-300 kW, 2.45 GHz, 90 ° phase angle and N∥ = 2.7, the intensity of hard X-ray radiation decreases in a direction perpendicular to the magnetic axis; however, The tangential direction, the aperture of the bremsstrahlung [measured with sodium iodide (NaI) detector] is increased. X-ray energy spectrum measurements show that non-Maxwell-distributed high-energy tail electrons appear in the low-clutter current-driven (LHCD) case, with vertical energies up to 150keV and tail electron temperatures (vertical) between 15-30keV.