Preparation and Characterization of CeO2/YSZ/CeO2 Buffer Layers for YBCO Coated Conductors

• 作 者: Jie XIONG Yin CHEN Yang QIU Bo
• 机 构: StateKeyLabofElectronicThinFilmsandIntegratedDevices
• 出 处: 材料科学技术学报：英文版
• 发表日期: 2007年4期
• 关键词: 缓冲器 直接电流磁控管电抗性溅射 涂层导体 在非织构金属基底上生长缓冲层和超导层 Buffer Direct-current magnetron reacti

CeO2 种子层在帮助转动的双性人向轴的方向上被扔粗糙的金属底层由直流(DC ) 磁控管反应劈啪作响。CeO2 薄电影的取向附生的取向上的免职温度的效果被检验。高质量的 CeO2 层从 750 deg C 在免职温度被完成到 850 deg C.Subsequently 稳定氧化钇的氧化锆(YSZ ) andCeO2 电影被扔经由一样的过程完成缓冲区层结构。最好的样品展出了一块高度二轴的质地，由 FWHM 显示了完整的宽度一半最大)在 4 deg-5 deg 的范围的价值，和为在里面飞机和 out-o