衬底温度和生长速率对In0.2Ga0.8As分子束外延薄膜生长影响

• 作 者: 白晨皓 杨瑞霞 张强 贾月辉
• 机 构: 河北工业大学信息学院
• 出 处: 唐山师范学院学报
• 发表日期: 2009年5期
• 关键词: 分子束外延 衬底温度 生长速率 MBE substrate temeperature growth rate

采用分子束外廷生长技术，在GaAs衬底上制备InGaAs外廷材料。实验结果表明，衬底温度直接决定了InGaAs材料制备过程中In原子在界面间的渗析和In原子在外延层表面迁移，影响了IhGaAs外延材料的生长模式；生长速率影响着InGaAs外延层的质量。实验结果表明，通过调整衬底温度和生长速率，在衬底温度为500℃，生长速率为1200nm／h时，制备出的样品结晶质量和表面形貌最好。