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采用铕离子注入热生长ＳｉＯ２薄膜的方法，获得掺杂剂量为１０＾１４ｃｍ＾－１２和１０＾１５ｃｍ＾－２的ＳｉＯ２：Ｅｕ％＾＾３＋硅基复合膜，研究了该薄膜的光致发光退火特性。经１０００℃退火后观察到Ｅｕ＾３＋的我发射。在１２００℃下氮气中退观察到Ｅｕ＾２＋４５０ｎｍ的强光发射。
铕离子注入氧化硅膜光发射的研究
【摘 要】
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采用铕离子注入热生长ＳｉＯ２薄膜的方法，获得掺杂剂量为１０＾１４ｃｍ＾－１２和１０＾１５ｃｍ＾－２的ＳｉＯ２：Ｅｕ％＾＾３＋硅基复合膜，研究了该薄膜的光致发光退火特性。经１０００℃退火后观察到Ｅｕ＾３＋的我发射。在１２００℃下氮气中退观察到Ｅｕ＾２＋４５０ｎｍ的强光发射。
【机 构】
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中国科技大学研究生院物理系
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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1999年10期
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