XPS Study of Crystal line SiO_2 Irradiated with 1.15Ge V Ar Ion

来源 :1997 Annual Report of Institute of Modern Physics,the Chines | 被引量 : 0次 | 上传用户：lygcctv

【摘要】

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ＳｉｎｇｌｅｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅＳｉＯ2ｓｐｅｃｉｍｅｎｓｏｆａｂｏｕｔ340μｍｔｈｉｃｋｎｅｓｓｗｅｒｅｉｒｒａｄｉａｔｅｄｗｉｔｈ1.15ＧｅＶＡｒｉｏｎｓａｔｒｏｏｍｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅｔｏｄｏｓｅｌｅｖｅｌｓａｓｈｉｇｈａｓ4.3×1014ｃｍ-2.Ｘｒａｙ SinglecrystallineSiO2specimensofabout340μmthicknesswereirradiatedwith1.15GeVArionsatroomtemperaturetodoselevelsashigh

【出处】

：

1997 Annual Report of Institute of Modern Physics,the Chines

【发表日期】

：

1997年00期

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