【摘 要】
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采用发射光谱法（OES）诊断了微波等离子体化学气相沉积（MP—CVD）制备金刚石膜过程中CH4浓度对cH4／H2等离子体中基团分布的影响，并利用拉曼光谱对不同CH4浓度下沉积的金刚石膜生长面
【机 构】
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武汉工程大学材料科学与工程学院湖北省等离子体化学与新材料重点实验室
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采用发射光谱法（OES）诊断了微波等离子体化学气相沉积（MP—CVD）制备金刚石膜过程中CH4浓度对cH4／H2等离子体中基团分布的影响，并利用拉曼光谱对不同CH4浓度下沉积的金刚石膜生长面进行表征。研究表明：CH4／H2等离子体中存在Ha、Hβ、Hy、CH、C2基团，且各基团谱线强度随CH4浓度的增加而增强，其中c2基团的光谱强度显著增强；CH4／H2等离子体电子温度随CH4浓度的增加而上升；光谱空间诊断发现等离子体球中基团沿径向分布不均匀，随cH4浓度增加，c2和CH基团分布的均匀性显著变差；沉积速率
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