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本文描述一种可驱动功率MOSFET和IGBT600v高压集成电路，它采用B.C．D．技术，把控制电路、检测保护电路、高低压电平移位电路、输出缓冲电路等集成到一块芯片上。本文就其采用的高压工艺平台、电路原理及版图设计作了初步的研究和试制，并对研制的初步结果进行了分析讨论。
半桥栅驱动600v高压驱动芯片设计
【摘 要】
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本文描述一种可驱动功率MOSFET和IGBT600v高压集成电路，它采用B.C．D．技术，把控制电路、检测保护电路、高低压电平移位电路、输出缓冲电路等集成到一块芯片上。本文就其采用的高压
【机 构】
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上海交通大学电子工程系
【出 处】
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集成电路应用
【发表日期】
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2005年2期
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