高性能SC切谐振器的设计

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采用基频、三次和五次泛音设计的 SC 切α石英谐振器已经制造出来,其频率复盖范围为4MHz 到100MHz。一些设计数据表明,SC 切谐振器的理论最大 Q 值,要比 AT 切谐振器的高(15~20)%。例如,一种已经制成的60兆赫三次泛音 SC 切谐振器,其 Q 值达到25万,这个数字是 AT 切谐振器在该频率上的理论最大 Q 值。已经确定了几种 SC 切设计(平-平、平-凸、双凸,基频和泛音)的“零角”。Vig 用控制磨球面来调整5MHz 基频 SC 切谐振器转折点的方法,已经用于生产中。SC 切晶片的化学抛光法通过生产实践正在完善。研究表明,Vig 建议的1:4的氢氟酸-氟化铵溶液对 SC 切晶片的表面污染是完全允许的。然而,他建议的1:2氢氟酸-水溶液引起了 SC 切+X 表面的退化。所有磨球面的 SC 切的设计是这样进行的,即在晶片的同一晶面磨球面,这是在 Bond介绍的电路中通过对每个晶片的挤压试验来完成的。对用同样制造技术加工的 AT 和 SC 谐振器老化特性的研究表明,典型的 SC 谐振器进入最终老化率的时间要比 AT 的快(5~10)倍,而典型 SC 切的最终老化率有(2~3)倍的改进。 SC-cut α quartz resonators designed with fundamental, third and fifth harmonic overtones have been manufactured with frequency coverage in the 4MHz to 100MHz range. Some design data show that the theoretical maximum Q of SC-cut resonators is 15-20% higher than that of AT-cut resonators. For example, a 60 MHz triplet harmonic SC-cut resonator has been made with a Q of 250,000, which is the theoretical maximum Q-factor for AT-cut resonators at that frequency. Several “zero angles” of SC design (flat-flat, flat-convex, biconvex, fundamental and overtone) have been identified. Vig’s method of controlling the turning point of a 5MHz fundamental frequency SC-cut resonator with a controlled grinding sphere has been used in production. The chemical polishing of SC-cut wafers is being refined through production practices. Studies have shown that the 1: 4 hydrofluoric acid-ammonium fluoride solution recommended by Vig is perfectly acceptable for surface contamination of SC-cut wafers. However, he suggested that a 1: 2 hydrofluoric acid-water solution caused degradation of SC cut + X surfaces. All spherical spherical SC-cut designs are made by grinding the same plane of the wafer with a spherical surface as described in Bond’s extrusion circuit by squeezing each wafer. Studies of the aging characteristics of AT and SC resonators fabricated using the same fabrication techniques show that the typical SC resonator enters the final aging rate faster than AT (5 to 10) times, while the typical SC cut final aging rate is (2 ~ 3) times the improvement.
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