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本文根据目前国内半导体工艺水平的现状，提出了一种适合我国国情的制作ＩＧＢＴ的工艺方法－三重扩散法，着重用器件模拟的方法，从理论上分析了三重扩散法在高压ＩＧＢＴ器件制作上的优势和切实可行性，并用实验的结果验证了其正确性。
三重扩散型IGBT的计算机模拟分析
【摘 要】
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本文根据目前国内半导体工艺水平的现状，提出了一种适合我国国情的制作ＩＧＢＴ的工艺方法－三重扩散法，着重用器件模拟的方法，从理论上分析了三重扩散法在高压ＩＧＢＴ器件制作上的优势和切实可行
【机 构】
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浙江工业大学电子系,浙江大学功率器件研究所
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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1995年11期
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