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利用磁控溅射系统在6061铝材上制备了3μm的AlN薄膜。XRD、椭偏测试及耐压测试结果表明，AlN膜为具有良好取向的多晶薄膜，击穿电压高达100V／岬。利用自动划痕仪对AlN膜进行剥离实验，临界载荷为6N左右。AlN和铝基体间的结合主要是物理吸附和机械锚合。用有限元方法对基于AlN膜／Al热沉的LED（发光二极管）封装结构的散热性能进行了分析，模型的内通道热阻约2KAV。