超高真空条件下NEAⅢ—Ⅴ族半导体光电阴极的工艺与性能的研究

• 作 者: 王力鸣 张小秋 李晋闽 侯洵
• 机 构: 中国科学院西安光学精密机械研究所,中国科学院西安光学精密机械研究所陕西西安710068,陕西西安710068,陕西西安710068
• 出 处: 真空科学与技术
• 发表日期: 1992年5期
• 关键词: 超高真空 半导体 光电阴极 UHV system GaAsP(Cs O) photocathode 1.25μm InGaAsP(Cs O) photoca
• 基金项目: 国家自然科学基金

介绍对GaAs及1.25μm InGaAsPⅢ-Ⅴ族半导体光电阴极的激活工艺及其性能的初步研究结果。全部采用国产超高真空系统,真空度优于8×10^-8Pa。在真空系统中激活的GaAs（Cs,O）光电阴极的积分灵敏度约为550μA/lm,InGaAsP（Cs,O）光电阴极在1.06μm处的量子效率为0.4%。用2.06μm波长(禁带宽度E_?=1.25μm)、ns量级脉宽的Er,Tm,Ho:YLF激光作激发源在