【摘 要】
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平面工艺制备半导体探测器始子六十年代,但因工艺复杂,需要的设备多,探测器的性能也不很突出,因此进展缓慢,各领域使用的硅探测器大多是用面垒、扩散和一般离子注入工艺制造
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平面工艺制备半导体探测器始子六十年代,但因工艺复杂,需要的设备多,探测器的性能也不很突出,因此进展缓慢,各领域使用的硅探测器大多是用面垒、扩散和一般离子注入工艺制造的。最近几年国外更换了老产品,用平面工艺来制备带电粒子、γ和X射线、位置灵敏、兰光以及紫外光等探测器。这种探测器发展很快,并具有如下优点。
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