锰、钴掺杂PBSZT压电陶瓷性能的研究

• 作 者: 晏伯武 王秀章
• 机 构: 黄石理工学院,华中科技大学电子科学与技术系,湖北师范学院物理系
• 出 处: 湖北师范学院学报：自然科学版
• 发表日期: 2007年3期
• 关键词: 压电陶瓷 介电损耗 掺杂 锆钛酸铅 piezoelectric ceramics dielectric loss doping lead zirconat
• 基金项目: 国家“863”计划项目（No.2004AA32G090）

为制备大功率低损耗压电陶瓷材料,对铅基压电陶瓷材料Pb0.9Ba0.05Sr0.05（Sn1/3Nb2/3）0.06（Zn1/3Nb2/3）0.06Ti0.44Zr0.44O3＋0.5wt%Sb2O3（质量分数,下同）进行掺杂改性研究,结果表明钴最好的掺杂量为0.3wt%～1.0wt%,此时陶瓷可得到较好的综合性能。0.5wt%锰掺杂可得性能为介电损耗tanδ=0.47%、机械品质因素Qm=2065、机电耦合系数Kp=0.515、压电常数d33=322、介电常数εr=1470。在适量的钴和锰同时掺杂时可得