端镜面镀膜对具有DC—PBH结构的MQW—LD光电性能的影响

• 作 者: 丁国庆 李明娟
• 机 构: 武汉电信器件公司
• 出 处: 半导体技术
• 发表日期: 1996年2期
• 关键词: 端镜面镀膜 DC-PBH MQW-LD 半导体器件 制造工艺

报告了具有ＤＣ－ＰＢＨ（双沟平面掩埋异质结构）的ＭＱＷ－ＬＤ（多量子阱激光器）端镜面镀膜对阈值电流Ｉｔｈ和激射波长γｐ的影响。指出：端镜面镀高反射膜ＨＲ（反射率Ｒ２＝７５％￣９０％），Ｉｔｈ可降低３．８￣５．１ｍＡ，γｐ加长４ｎｍ左右；端镜面镀增透膜ＡＲ（反射率Ｒ１＝１０％￣１５％），Ｉｔｈ将增加３ｍＡ，波长变化趋势不明显。分析和讨论了导致这些变化的物理机理。实验结果和理论计算基本一致。